盖世汽车讯 4月6日，韩国纯晶圆代工公司启方半导体（Key Foundry）宣布其首款采用二代0.13微米嵌入式闪存工艺的汽车半导体已完成开发，并将于今年开始大规模量产。

5年多来，启方半导体凭借第1代0.13微米嵌入式闪存技术，不断推动各类消费应用产品，如MCU（微处理器）、触控（Touch）和自动对焦（Auto Focus）的量产。该全新第二代0.13微米嵌入式闪存工艺可应用于汽车零部件，并满足AEC-Q100一级可靠性测试标准。基于其深厚的专业积累，以及获得专利的侧壁选择性晶体管单元（SSTC）结构的强大特性，启方半导体将纠错码（ECC，Error Correcting Code）内存添加到嵌入式闪存IP，成功开发出一种新的嵌入式闪存技术，满足所有AEC-Q100一级可靠性测试标准。不仅如此，该设计改进还提高了此项技术的闪存可靠性，适用于所有汽车应用。

（图片来源：启方半导体）

启方半导体的一家韩国客户率先将此项新工艺应用于交通收费应答器的MCU产品中。启方半导体的128Kb eFlash I P已嵌入至完成产品级测试的产品，并将于今年展开全面量产。这是第一款采用启方半导体嵌入式闪存工艺的汽车应用产品。该公司希望该产品的成功开发将有助于拓展此项技术的应用范围，未来可应用于触控IC、无线充电IC和其他各种汽车产品。

与第一代相比，第二代技术可靠性更高，成本竞争力也更强，预计将被广泛应用于包括MCU、触控和自动对焦在内的各种消费类应用。此外，它与BCD（Bipolar-CMOS-DMOS，双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体）工艺集成后，非常适合各种电源产品，例如USB Type-C PDs、电机驱动IC或无线充电IC。第二代技术还有望应用于具有超低泄漏工艺选项的低功耗IoT（物联网）产品中。

继第一代和第二代0.13微米嵌入式闪存工艺后，启方半导体目前正在开发0.11微米嵌入式闪存工艺。为了满足不断增长的客户对高存储密度的需求，该公司计划大幅缩小闪存单元的尺寸，打造出存储密度高达4Mbits的闪存IP。

启方半导体首席执行官Tae Jong Lee博士表示：“我们很高兴可以完成首款采用第二代0.13微米嵌入式闪存技术的产品的开发，并开始投入量产。我们将充分利用积累的技术优势，提供高可靠且具有成本竞争力的代工服务，并继续增加汽车半导体在我们产品组合中的比例。”